北京某研究院采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积制备碳薄膜, 同时在室温和无催化层衬底的条件下, 探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响.

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号	RFICP220
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦,  平行,  散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	30 cm
直径	41 cm
中和器	LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

该溅射沉积是在气压为 1.33×10-4Pa 和衬底温度为室温条件下,利用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射石墨, 在无催化层的硅(Si)衬底上加工碳纳米薄膜.

 

通过拉曼光谱对碳纳米薄膜表面物质的组成进行了分析; 利用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)来显示薄膜的表面结构; 实验结果显示, 辐照时间对 ID/IG 的比值以及碳晶粒的大小都有显著的影响, 并且高离子束能量能够促进碳晶粒的结晶. 同时, 在高能量的离子束下沉积碳纳米薄膜, 在 Si 表面发现了特殊图案的碳纳米结构: 雪花状, 方块状及四角星状.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

因此，该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

 

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