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型号：IPN60R600P7S
批号：18+
封装：SOT223
描述
“ CoolMOS™”第七代平台是“革命性的”技术，用于根据超结设计的高电压功率MOSFET（SJ）的原理和技术是英飞凌技术的先锋。600VCoolMOS™P7系列结合了领先的SJMOSFET的经验具有一流创新的供应商，并且是唯一能够实现这一目标的平台RDS（on）* A在1Ohm *mm²以下。600VCoolMOS™P7系列是作为CoolMOS™P6系列的后续产品，并继续提供所有快速切换SJ MOSFET的好处，同时又不牺牲使用的便利性。极低的开关和传导损耗使开关应用程序效率更高，更紧凑，更轻，更凉。
特征
•适用于“硬”和“软”切换（PFC和“ LLC”）
•集成的门极电阻器可在效率之间实现出色的平衡
并“易于使用”
•RDS（on）* A？低于1Ohm *mm²，使能？RDSON /封装
•ESD二极管从180mOhms以上
•系列适用于各种工业和消费级产品
根据“ JEDEC”（J-STD20和“ JESD22”）的应用
好处
•通过在PFC和PWM拓扑中使用，规模经济有所增加
规格
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 1.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 9nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 363pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 7W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-SOT223
封装/外壳 TO-261-3
应用
•可以在各种各样的应用程序和功率范围内使用
•由于较小的包装，增加了功率密度解决方案
•各种制造环境中的保护
•针对消费或工业应用量身定制的产品
英飞凌全新正品IPN60R600P7S场效应晶体管
网址:https://www.shangtaiw.com/b2b-xingjijinhua/sell/itemid-98933.html