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KRI 考夫曼射频离子源RFICP220制备富硅SiNx薄膜

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-03-15 15:23  来源:伯东真空  作者:伯东真空  浏览次数:12

云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si100)衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜用于研究硅量子点 SiN 薄膜的光谱特性该实验目的是优化含硅量子点的 SiNx 薄膜的制备参数, 在硅基光电子器件的应用方面有重要意义.
 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦,   平行,   散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

可选灯丝中和器可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

实验室采用 Fourier 变换红外光谱、Raman 光谱、掠入射 X 射线衍射和光致发光光谱对退火后的薄膜样品进行了表征.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生                               台湾伯东王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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KRI 考夫曼射频离子源RFICP220制备富硅SiNx薄膜
网址:http://www.shangtaiw.com/news/show-90062.html
 
 
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