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昆山国华电子科技有限公司

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等离子表面处理设备整体解决方案提供商
发布时间:2019-06-06 14:12        浏览次数:25        返回列表
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品牌:国华
机台整机规格:W:1000*H:1750*D:1200
真空室规格:W:460*H:460*D:640
腔体特点:6个区域,弹夹式放置/水平托架放入
单价:面议
最小起订量:1 台
供货总量:999 台
发货期限:自买家付款之日起 天内发货
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详细介绍
 表面工艺
主要用于以下两方面。
 
①等离子体表面处理:为了提高刀具、模具等的性能,可以用等离子体对金属表面进行氮、碳、硼
 
或碳氮的渗透。这种方法的特点是,不是在表面加一覆盖层,而是改变基体表面的材料结构及其性能
 
。处理过程中,工件温度比较低,不使工件变形,这对精密的部件很重要。这一方法可以应用于各
 
种金属基体,主要有辉光放电渗氮,氮碳共渗,渗硼。
 
②等离子体在电子工业中的应用:大规模集成电路片心的生产工艺,过去采用化学方式,采用等离
 
子体方法代替之后,不仅降低了工艺过程中的温度,还因将涂胶、显影、刻蚀、除胶等化学湿法改
 
为等离子体干法,使工艺更简单,便于实现自动化,提高成品率。等离子体方法加工的片心分辨率
 
及保真度都高,对提高集成度及可靠性均有利。
 
等离子体沉积薄膜
 
用等离子体聚合介质膜可保护电子元件,用等离子体沉积导电膜可保护电子电路及设备免遭静电荷
 
积累而引起损坏,用等离子体沉积薄膜还可以制造电容器元件。在电子工业、化学工业、光学等方
 
面有许多应用。①等离子体沉积硅化合物。用SiH4+N2O〔或Si(OC2H4)+O2〕,制成SiOxHy。气压1~5
 
托(1托≈133帕),电源13.5兆赫。氮化硅沉积用SiH4+SiH3+N2。温度300℃,沉积率约180埃/分。
 
非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反应剂得SixC1+x:H,x是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克/毫米2
 
。在多孔基片上,用等离子体沉积一层薄聚合膜,制成选择性的渗透膜及反渗透膜,可用于分离混
 
合气中的气体,分离离子与水。也可以组合超薄膜层,以适应不同的选择性,如分子大小,可溶性
 
,离子亲合性,扩散性等。在碳酸盐-硅共聚物基片上,用一般方法沉积0.5毫米薄膜,氢/甲烷的渗
 
透性比为0.85,甲烷的渗透性比氢的高。若用等离子体在基片上沉积苯甲氰单体,这一比值增为33,
 
分离作用大为提高。反渗透膜可用于海水脱盐。在水流量低于一定阈值时,排盐效果才好。烯烃族
 
、杂芳香族及芳香胺等的聚合膜具有满意的反渗透性。②等离子体沉积膜可用于光学元件,如消反
 
射膜,抗潮、抗磨损等薄膜。在集成光学中,用等离子体可以按照所需的折射率沉积上稳定的膜,
 
用于联接光路中各元件。这种膜的光损失为0.04分贝/厘米。
 
等离子体用于材料表面改性
 
主要有以下几个方面:①改变润湿性(又称浸润性)。一些有机化合物表面的润湿性对颜料、墨、粘
 
结剂等的粘结性,对于材料表面的闪络电压及表面漏泄电流等电性能,都有很大的影响。衡量润湿
 
性的量称为接触角。表1中列出一些材料的不同处理对接触角的影响。②增强粘附性。用等离子体
 
活化气体处理一些聚合物及金属之后,可使材料与粘附剂的结合强度得到加强。原因可以是聚合物
 
表面的交联加强了边界层的粘附力;或是等离子体处理过程中引入了偶极子而提高了聚合物表面粘
 
附强度;也可能是等离子体处理消除了聚合物表面的污层,改善了粘附条件。电晕处理也有同样效
 
果。表2列出一些聚合物与金属粘附的结果,等离子体处理的效果明显。③强化聚合物与聚合物的
 
粘附。例如玻璃丝加强的环氧树脂用氦等离子体处理后,与硫化橡胶的粘附增强233%。聚酯轮胎线
 
经过等离子体处理(如NH3)后,与橡胶的粘附强度提高8.4倍。
 

等离子表面处理设备整体解决方案提供商
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